Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFD110 | 44 | 66.60 руб. | |
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 600
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики S,мА/В 800
Корпус DIP4
Пороговое напряжение на затворе 4
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
|
IRFD110 Power Mosfet (vdss=100v, Rds (on) =0.54ohm, Id=1.0a)
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
