Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF8313PBF

Версия для печати Транзистор МОП N-канальный (30V, 9.7A, 2W)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF8313PBF 5 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRF8313PBF

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 9.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 90nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 760pF @ 15V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
ATTINY2313A-SU 936 255.74 руб. 
BAT54A 93596 1.82 руб. (от 100 шт.  0.91 руб.)
BAT54C (DIOTEC) 6842 4.98 руб. 
BAT54S (YJ) 128000 1.24 руб. 
R10X6X4 PC40 57600 3.38 руб. 
IRF8313PbF
MOSFET

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF8313PbF.pdf
254.8 Кб