Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF630FP

Версия для печати N-channel 200v - 0.35? - 9a to-220fp mesh overlay™ ii power mosfet

Технические характеристики IRF630FP

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия MESH OVERLAY™
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 9A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V
Power - Max 30W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220FP
Корпус TO-220FP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRF630FP
MOSFET

N-channel 200V - 0.35? - 9A TO-220FP Mesh overlay™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

IRF630, IRF630FP.pdf
334.4 Кб