IRF4905S

P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме

Описание IRF4905S

 P-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики транзистора IRF4905S:
Максимальный ток стока 74А
Максимальное напряжение сток-исток - 55V
Сопротивление сток-исток (откр.)<  0,02 om
Максимальная мощность рассеивания 200W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе  -2..-4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения 18/61nS (тип.)
Время восстановления диода  89nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость 3400/1400pF (тип.)
Корпус D2pak
Диапазон рабочих температур-55..+175oC

Технические характеристики IRF4905S

Параметр
Значение
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 42A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 42A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3500pF @ 25V
Power - Max 170W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru