Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BDX53C

Версия для печати Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, P=60W, -65 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
BDX53C (ST MICROELECTRONICS) 1730 87.48 руб. 

Технические характеристики BDX53C

Параметр
Значение
Корпус TO-220
Корпус (размер) TO-220-3
Тип монтажа Выводной
Power - Max 60W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Transistor Type NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для BDX53C

Наименование
Кол-во
Цена
 
TIP102 (ST MICROELECTRONICS) 800 20.28 руб. 
TIP132 (ST MICROELECTRONICS) 114 203.93 руб. 
КТ829А (КРЕМНИЙ) 6642 79.77 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N2907A (DIOTEC) 1946 6.50 руб. 
BDX54C (ST MICROELECTRONICS) 2457 83.97 руб. 
LD1086D2M33TR (ST MICROELECTRONICS) 757 95.47 руб. 
SMBJ15A 18240 3.84 руб. 
BDX53

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

Также в этом файле: BDX53C

Производитель:
Bourns Electronic Solutions
//www.bourns.ru

bdx53.pdf
114.76Kb
5стр.