BC857B

Версия для печати Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>100MHz)

Наименование	Кол-во	Цена
BC857B (YJ)	88000	1.24 руб.

Описание BC857B

Маломощный P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.

Структура     P-N-P
Uк-э.макс.     -45V
Uк-б.макс.     -50V
Iк.макс.     100mA
Iк.имп.макс.     200mA
Fгр.             100MHz
Pрасс.макс.     250mW
Cк     4,5pF(тип.)
Шумы     2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач. < 15nA / 100nA
Hfe          220..475
Диапазон рабочих температур     -65..+150°С
Маркировка     3F
Аналог     ~КТ3130

Технические характеристики BC857B

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
1N4148 (DIOTEC)	166951	3.05 руб.
74HC164D (NXP)	1206	25.20 руб.
BC847B (NEXPERIA)	66240	2.54 руб.
BC847C (NEXPERIA)	495182	1.98 руб.

Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)

bc857b.pdf
79,19kB
13стр.