Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC848BLT1G

Версия для печати

Технические характеристики BC848BLT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
CC0402JRNPO9BN100 (YAGEO) 8000 1.24 руб. 
L7805ABD2T-TR (ST MICROELECTRONICS) 520 59.51 руб. 
L7812ABD2T-TR (ST MICROELECTRONICS) 2 77.32 руб.