Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BC847CLT1G (ONSEMI) | 376 | 3.35 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | NPN |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power - Max | 225mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| NCP1117ST50T3G (ONSEMI) | 59 | 40.14 руб. | |
| W5100 | 33 | 1 471.84 руб. | |
|
BC846ALT1 Универсальные биполярные транзисторы General Purpose Transistors NPN Silicon Также в этом файле: BC847CLT1G
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
