Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BC807-16 (YJ) | 56000 | 1.24 руб. | |
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 100
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Корпус | TO-236AB |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Power - Max | 250mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
