| Наименование | Кол-во | Цена |  | 
|---|---|---|---|
| 2SA1015 | 11200 | 1.32 руб. (от 100 шт. 0.66 руб.) | |
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.4
Корпус TO92
| Параметр | Значение | 
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
| Transistor Type | PNP | 
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA | 
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | 
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | 
| Power - Max | 400mW | 
| Frequency - Transition | 80MHz | 
| Тип монтажа | Выводной | 
| Корпус (размер) | TO-92-3 (Long Body), TO-226 | 
| Корпус | TO-92 | 
 
        
            
            
            | UTC2SA1015 Биполярные транзисторы PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 
                                Производитель: 
 | ||