Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

← | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | →
Наименование
Описание
Кол-во
Цена
Купить
КП303Д Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе управляющего p-n перехода и каналом n-типа, для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты частот с высоким входным сопротивлением 800 40.82 руб. 
КП303Е Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа 200Вт, 25В, 20мА 8 899 37.80 руб. 
КП303Ж Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа 20 099 25.20 руб. 
КП307А Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа для применения во вх. и вых. каскадах усилителей выс.и низ.частот с высоким вх. сопр. 266 54.43 руб. 
КП307Б 116 50.40 руб. 
КП307Б1 		800 27.22 руб. 
КП307Е никель 400 54.43 руб. 
КП308В-1 		242 25.20 руб. 
КП501В 		266 22.68 руб. 
КП502А 		1 655 42.84 руб. 
КП508А Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала, эпитаксиально-планарные , оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом. 1 319 40.32 руб. 
КП707В2 (BUZ90) 2 199.80 руб. 
КП707В2 (BUZ90) 2 176.64 руб. 
КП785А 		53 276.70 руб. 
КП813Б 		8 299.38 руб. 
КП948Б 		2 132 25.20 руб. 
КТ201АМ 800 18.14 руб. 
КТ209В 800 14.97 руб. 
КТ209Е 3 240 11.10 руб. 
КТ209Ж 800 14.97 руб. 
КТ209К Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 - в блоках ТВ п 2 400 20.41 руб. 
КТ209Л 12 432 5.67 руб. 
КТ209М 1 872 11.10 руб. 
КТ219А 		22 23.51 руб. 
КТ3102АМ Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц 13 230 13.86 руб. 
КТ3102ВМ Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный 2 623 11.10 руб. 
КТ3102ДМ 800 12.70 руб. 
КТ3107А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, 250Вт, 200МГц 6 475 15.62 руб. 
КТ3107Б Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц 1 342 15.12 руб. 
КТ3107В Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p 8 190 5.04 руб. 
КТ3107Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах 21 050 5.04 руб. 
КТ3107Д Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, 0.3Вт, 30В, 0.1 А, 200МГц 2 874 5.04 руб. 
КТ3107Е Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p 3 534 5.04 руб. 
КТ3107Ж Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах 13 297 5.04 руб. 
КТ3120АМ 580 30.24 руб. 
КТ315И1 266 14.97 руб. 
КТ3165А 266 14.97 руб. 
КТ316А 1 424 37.80 руб. 
КТ316Б 80 117.94 руб. 
КТ3172А9 		279 10.08 руб. 
КТ325БМ 80 18.14 руб. 
КТ325ВМ 800 20.41 руб. 
КТ325ВМ 800 18.14 руб. 
КТ342БМ 163 5.04 руб. 
КТ361Д2 		800 14.97 руб. 
КТ368БМ Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 47 45.39 руб. 
КТ382АМ 		920 12.60 руб. 
КТ399АМ Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц 53 38.56 руб. 
КТ520А 		800 20.16 руб. 
КТ529А Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения 800 18.14 руб. 
 
 
 
 
 
← | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | →