|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
| 2Т663А | 39 | 214.80 руб. | ||
2Т828А
|
2 | 309.12 руб. | ||
| 2Т9104Б | 16 | 1 974.88 руб. | ||
| 2Т9123Б | 26 | 743.75 руб. | ||
2Т932А
|
260 | 248.27 руб. | ||
2Т933А
|
80 | 137.73 руб. | ||
2Т933Б
|
80 | 137.73 руб. | ||
|
2Т933Б
|
80 | 133.05 руб. | ||
| 2Т980Б | 36 | 3 753.60 руб. | ||
| 2ТС398А-1 | 80 | 46.85 руб. | ||
3П325А-2
|
266 |
|
||
| 3П326А-2 | 266 | 89.01 руб. | ||
| 3П339А-2 | 94 | 112.85 руб. | ||
| ГТ108А | 266 | 29.98 руб. | ||
| ГТ403В | 80 | 39.35 руб. | ||
ГТ905А
|
266 | 150.85 руб. | ||
КП303А
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 10 796 | 25.78 руб. | |
КП303Б
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, для применения во входных каскадах усилителей | 1 200 | 148.78 руб. | |
КП303Д
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе управляющего p-n перехода и каналом n-типа, для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты частот с высоким входным сопротивлением | 800 | 44.97 руб. | |
КП303Е
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа 200Вт, 25В, 20мА | 7 879 | 32.22 руб. | |
КП303Ж
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа | 19 347 | 21.48 руб. | |
КП307А
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа для применения во вх. и вых. каскадах усилителей выс.и низ.частот с высоким вх. сопр. | 80 | 59.03 руб. | |
КП307Б
|
80 | 59.03 руб. | ||
| КП307Б1 | 800 | 29.98 руб. | ||
КП307Е
|
никель | 400 | 59.03 руб. | |
| КП308В-1 | 234 | 21.48 руб. | ||
| КП501В | 266 | 25.30 руб. | ||
| КП502А | 1 257 | 36.52 руб. | ||
| КП523А | 4 784 | 42.96 руб. | ||
КП707В2
|
(BUZ90) | 1 | 169.28 руб. | |
| КП746А | 18 | 96.66 руб. | ||
| КП785А | 40 | 299.83 руб. | ||
| КП813Б | 8 | 327.94 руб. | ||
| КП948Б | 2 115 | 21.48 руб. | ||
КТ201АМ
|
800 | 19.68 руб. | ||
КТ208А
|
1 111 | 42.96 руб. | ||
КТ209В
|
800 | 16.87 руб. | ||
КТ209Е
|
3 080 | 11.29 руб. | ||
КТ209Ж
|
800 | 16.87 руб. | ||
КТ209К
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 - в блоках ТВ п | 2 400 | 17.40 руб. | |
КТ209Л
|
12 432 | 3.45 руб. | ||
КТ209М
|
1 296 | 11.29 руб. | ||
КТ3102АМ
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц | 11 510 | 12.89 руб. | |
КТ3102ВМ
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | 2 623 | 11.29 руб. | |
КТ3102ДМ
|
533 | 14.99 руб. | ||
КТ3107А
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, 250Вт, 200МГц | 4 912 | 13.32 руб. | |
КТ3107Б
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц | 800 | 14.99 руб. | |
КТ3107В
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p | 8 190 | 4.30 руб. | |
КТ3107Г
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц, для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах | 20 890 | 4.30 руб. | |
КТ3107Д
|
Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p, 0.3Вт, 30В, 0.1 А, 200МГц | 2 794 | 4.30 руб. | |
 |
 |
 |
 |
 |
 |