Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

K6X1008C2D-BF55

Версия для печати SRAM 128K x 8, 5.0V

Наименование
Кол-во
Цена
 
K6X1008C2D-BF55 (SAMSUNG) 34 705.60 руб. 

Технические характеристики K6X1008C2D-BF55

Параметр
Значение
Производитель SAMSUNG ELECTRONICS
Количество в упаковке 1000 шт.
Вес 1.820 г
Объём памяти 1024 kbit
Cell Resistance @ Illuminance 128x8
Center / Cutoff Frequency 55 нс
Напряжение питания 4.5…5.5 В
Корпус (размер) SOP32-525
Рабочая температура -40...85 °C
Температура хранения -65...150 °C
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
K6X1008C2D
Маломощная SRAM (1 Мб)

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Также в этом файле: K6X1008C2D-BF55, K6X1008C2D-BF551

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

k6x1008c2d.pdf
179.54Kb
10стр.