Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

| 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
Наименование
Описание
Кол-во
Цена
Купить
2N3772
Транзистор S-N 100В 20A TO3 8 208.66 руб. 
2N3773 Транзистор биполярный большой мощности 8 208.66 руб. 
2N3866
Транзистор биполярный большой мощности 2 353.28 руб. 
2N3904 Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C) 10 400 1.32 руб. (от 100 шт.  0.66 руб.)
2N3906 Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт 22 400 1.96 руб. (от 100 шт.  0.98 руб.)
2N3906BU
2 298 16.50 руб. 
2N4401BU
NPN 40V 0,6A 0,625W 408 28.52 руб. 
2N4401TA
2 996 11.80 руб. 
2N4403 Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт) 13 280 2.72 руб. 
2N4403BU Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт) 46 660 3.00 руб. 
2N5061
80 Заказ радиодеталей
2N5088 Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц 1 600 Заказ радиодеталей
2N5207 121 2 719.50 руб. 
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) 7 717 7.67 руб. 
2N5401YBU
246 20.49 руб. 
2N5415
PNP 200V, 1A, 10W,  15MHz 26 73.88 руб. 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) 28 800 1.27 руб. 
2N5551TA
270 14.60 руб. 
2N6075AG
146 33.09 руб. 
2N6075BG
95 38.39 руб. 
2N6107
Транзистор S-P 70В 7A TO220 8 86.18 руб. 
2N6397G
123 40.29 руб. 
2N6488G
179 62.49 руб. 
2N6509G
Тиристор 90 218.83 руб. 
2N7000 Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт) 1 951 12.50 руб. 
2N7000TA Advanced small signal mosfet 1 633 13.49 руб. 
2N7002 Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт 75 842 4.60 руб. 
2N7002,215 Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт 73 838 4.39 руб. 
2N7002-TP Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт 6 615 2.00 руб. 
2N7002BK,215 4 102 5.00 руб. 
2N7002BKS,115 863 14.20 руб. 
2N7002BKV,115 706 16.90 руб. 
2N7002BKW,115
6 813 10.40 руб. 
2N7002CK,215 6 438 15.30 руб. 
2N7002DW Dual n-channel enhancement mode field effect transistor 25 023 3.00 руб. 
2N7002DW-7-F
4 734 8.50 руб. 
2N7002E Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) 2 174 17.76 руб. 
2N7002E-7-F 514 7.79 руб. 
2N7002E-T1-GE3
214 21.89 руб. 
2N7002ET1G
21 600 2.15 руб. 
2N7002K N-channel enhancement mode field effect transistor 67 594 1.70 руб. (от 100 шт.  0.85 руб.)
2N7002K-T1-GE3
13 788 8.50 руб. 
2N7002KT1G
7 346 7.00 руб. 
2N7002LT1G
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds) 134 320 2.52 руб. 
2N7002P,215 17 166 5.40 руб. 
2N7002PS,115 1 305 13.40 руб. 
2N7002PW,115
2 498 8.50 руб. 
2N7002W N-channel enhancement mode field effect transistor 20 201 4.52 руб. 
2N7002W-7-F
29 016 4.10 руб. 
2N7002WT1G
26 975 6.50 руб. 
 
 
 
 
 
| 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |