|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
BQ24703EVM
|
2 | 8 880.00 руб. | ||
BQ29209DRBR
|
52 | 100.67 руб. | ||
| BR100/03 | ДИНИСТОР 28-36В 2А DO35 | 4 |
|
|
| BR1010 | Диодный мост выводной | 395 | 56.39 руб. | |
| BR24C64 | CMOS EEPROM 64K (8192x8) I2C-bus, | 53 | 104.33 руб. | |
BR24L08FJ-WE2
|
34 | 73.26 руб. | ||
| BR310 | ДиодНЫЕ мостЫ 3A 1000V | 251 | 35.60 руб. | |
| BR810 | ДиодНЫЙ МОСТ 1000V 8A | 17 | 111.00 руб. | |
| BRL1608T100M | 300 | 16.47 руб. | ||
| BRS-1A12 | 960 | 136.38 руб. | ||
BS-115C-12A-12VDC
|
Реле электромеханическое +12В/10А | 1 050 | 196.94 руб. | |
BS-115C-12A-24VDC
|
Электромеханическое силовое реле пост. тока герметичное для монтажа в отв. платы 24В, 360мВт, до 10А / 250В | 1 726 | 196.94 руб. | |
BS-115C-12A-6VDC
|
Рэле электромагнитное пост. тока , моностабильное , нейтральное, герметичное 1 п контакт, 6В | 2 | 276.21 руб. | |
| BS17 | 82 | 3 457.07 руб. | ||
BS170
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт | 4 160 | 27.69 руб. | |
| BS170FTA | 307 | 83.00 руб. | ||
| BS25 | 588 | 1 227.54 руб. | ||
BS250FTA
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA | 385 | 55.38 руб. | |
| BS62LV1027SIP55 | ИМС SRAM 2,4-5,5V | 1 | 1 332.00 руб. | |
| BS62LV256PC-70 | 7 | 437.34 руб. | ||
| BS62LV256PIP55 | 4 | 488.40 руб. | ||
| BS62LV256SIP-70 | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V, -40 to +85C), Pb-free. | 263 | 189.00 руб. | |
| BS62LV256SIP-70 | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V, -40 to +85C), Pb-free. | 263 | 189.00 руб. | |
BSH103,215
|
58 427 | 12.90 руб. | ||
|
BSH105,215
|
1 692 | 27.20 руб. | ||
|
BSH108,215
|
2 400 | 21.40 руб. | ||
|
BSH114,215
|
4 752 | 57.08 руб. | ||
|
BSH201,215
|
4 889 | 20.89 руб. | ||
|
BSH203,215
|
10 741 | 26.00 руб. | ||
| BSM400GA120DLCS | Тиристор | 1 | 26 016.18 руб. | |
| BSM75GB120DN2 | Тиристор | 6 | 14 110.30 руб. | |
BSN20
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | 6 800 | 2.08 руб. | |
| BSN254A | Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D) | 4 617 | 255.90 руб. | |
BSP130,115
|
39 | 771.46 руб. | ||
| BSP170P | 728 | 30.18 руб. | ||
BSP220
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 799 | 31.50 руб. | |
BSP250
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 35 | 63.23 руб. | |
|
BSP250,115
|
641 | 119.76 руб. | ||
| BSP254A | 80 | 95.26 руб. | ||
| BSP297 | 80 |
|
||
| BSP317P | 4 651 |
|
||
| BSP51 | Транзистор биполярный составной | 1 541 | 26.80 руб. | |
|
BSP51,115
|
114 | 44.49 руб. | ||
| BSP52 | Транзистор биполярный составной NPN-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000 | 800 |
|
|
|
BSP52,115
|
3 335 | 35.29 руб. | ||
| BSP52T1G | NPN-Darl 80V 1A 0,8W | 29 292 | 29.89 руб. | |
| BSP742R | Smart Power High-Side-Switch 5...34V 0.4Ohm 0.4A, DSO8 | 252 | 171.64 руб. | |
| BSP742T | Smart Power High-Side-Switch 5...34V 0.4Ohm 1.1A, DSO8 | 3 992 | 133.20 руб. | |
| BSP752R | 60 | 239.40 руб. | ||
| BSP752T | 63 | 231.13 руб. | ||
 |
 |
 |
 |
 |
 |