Наименование  | 
                                    
                                         Кол-во 
                                     | 
                                    
                                         Цена 
                                     | 
                                
|---|---|---|
| TL072ACDR (TEXAS INSTRUMENTS) | 26 | 43.39 | 
| TL072BCD (TEXAS INSTRUMENTS) | 732 | 63.00 | 
| TL072CD (ST MICROELECTRONICS) | 80 | 40.82 | 
| TL072CDR | 1360 | 8.02 | 
| TL072CDT | 960 | 13.91 | 
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом для работы в бытовом диапазоне температур (0..+70°С). Входные каскады TL072CN выполнены на полевых транзисторах, что обеспечивает высокое входное сопротивление ОУ.
Напряжение смещения ±3mV (тип.) / ±10mV (макс.)
Температурный дрейф напряжения смещения 10µV/°C     
Синфазный входной ток         30pA(тип) / 200pA(макс.)
Дифференциальный входной ток 5pA (тип.) / 100pA(макс.)
Входное сопртивление     10¹²om     
Выходной ток (к.з.) 10mA / 40mA (тип.)/ 60mA(макс.)
Коэффициент ослабления синфазных помех 70dB / 86dB(тип.)
Коэффициент ослабления нестабильности питания     70dB     86dB(тип.)     
Ослабление сигнала других каналов         120dB     
Коэффициент усиления по напряжению на большом сигнале     25V/mV     200V/mV(тип.)     
Диапазон входных напряжений     ±11V / +15V , -12V (тип.)    
Размах выходного напряжения ±10V / ±13,5(тип)
Ток потребления (на один усилитель) 1,4mA(тип) / 2,5mA(макс.)
Коэффициент гармонических искажений         0,01%     
Допустимая скорость нарастания 8V/µS / 13V/µS(тип.) 
Граничная частота     2,5MHz/4MHz (тип.)
Предельные режимы
Напряжение питания ±18V
Входное напряжение ±15V
Дифференциальное входное напряжение ±30V
Диапазон температур 0..+70°С
Корпуса и упаковка в зависимости от индекса в обозначении указаны в даташите.
Параметр  | 
                                    Значение  | 
                                
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
| Тип усилителя | J-FET | 
| Число каналов | 2 | 
| Скорость нарастания выходного напряжения | 13 V/µs | 
| Полоса пропускания | 3MHz | 
| Ток - входного смещения | 65pA | 
| Напряжение входного смещения | 3000µV | 
| Ток выходной | 1.4mA | 
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V | 
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C | 
| Тип монтажа | Поверхностный | 
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 
| Корпус | 8-SOIC |