Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI2309CDS-T1-GE3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI2309CDS-T1-GE3 (VISHAY) 7314 42.59 руб. 

Технические характеристики SI2309CDS-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 345 mOhm @ 1.25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 210pF @ 30V
Power - Max 1.7W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BAT54A (YJ) 176000 2.48 руб. 
BC817-40 (HOTTECH) 362094 2.09 руб. 
RC0603JR-07470KL (YAGEO) 33600 1.24 руб. 
SMAJ18A 21760 2.98 руб. 
SS14 40880 1.26 руб.