IRF830A

Версия для печати Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт

Наименование	Кол-во	Цена
IRF830APBF	592	38.17 руб.

Описание IRF830A

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока 5А
Максимальное напряжение сток-исток 500В
Сопротивление сток-исток (откр.) <1.5 Ом
Максимальная мощность рассеивания 74Вт
Диапазон рабочих температур - 55 ...+150^oC

Технические характеристики IRF830A

Параметр	Значение
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	620pF @ 25V
Power - Max	74W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
L7815CV (ST MICROELECTRONICS)	1120	81.48 руб.
L7915CV (ST MICROELECTRONICS)	266	58.14 руб.
MJE13005	6	67.58 руб.
К176ЛА7	800	30.60 руб.
К176ЛА7	800	24.48 руб.

IRF830AL
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=1.40ohm, Id=5.0A)

Также в этом файле: IRF830AS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf830al.pdf
155.26Kb
10стр.