IRF830A

Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт

Наименование
Кол-во
Цена
IRF830APBF 592 38.17

Описание IRF830A

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока    5А
Максимальное напряжение сток-исток    500В
Сопротивление сток-исток (откр.)          <1.5 Ом
Максимальная мощность рассеивания         74Вт
Диапазон рабочих температур     - 55 ...+150oC

Технические характеристики IRF830A

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 620pF @ 25V
Power - Max 74W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru