Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SA1962

Версия для печати Биполярный транзистор Si-P, 230/230V, 17A, 130W, 30MHz

Описание 2SA1962

2SA1962R -  hFE1 = 55 ~ 110 
2SA1962O -  hFE1 = 80 ~ 160

Технические характеристики 2SA1962

Параметр
Значение
Корпус TO-3P(N)
Корпус (размер) 2-16C1A (TO-247 N)
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 30MHz
Power - Max 130W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 1A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2SA1962
Биполярные PNP транзисторы

Биполярный транзистор Si-P, 230/230V, 15A, 130W, 25MHz

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sa1962.pdf
478,22kB
6стр.