2SA1962
Биполярный транзистор Si-P, 230/230V, 17A, 130W, 30MHzОписание 2SA1962
2SA1962R - hFE1 = 55 ~ 110
2SA1962O - hFE1 = 80 ~ 160
Технические характеристики 2SA1962
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(N) |
| Корпус (размер) | 2-16C1A (TO-247 N) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Power - Max | 130W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 230V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru