Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 0.2 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 12V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 8 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 0.03 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Ёмкость стока (Cd): 1.05 Пф
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | N-Channel Dual Gate |
| Частота | 200MHz |
| Voltage - Test | 8V |
| Current Rating | 30mA |
| Noise Figure | 0.6dB |
| Current - Test | 10mA |
| Номинальное напряжение | 12V |
| Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
| Корпус | SOT-143B |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2N7002 (DIOTEC) | 75168 | 4.66 руб. | |
| BAV99 (NEXPERIA) | 312161 | 2.31 руб. | |
| PIC16F873A-I/SO | 290 | 573.97 руб. | |
|
BF998RW N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
