Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 0.2 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 12V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 8 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 0.03 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Ёмкость стока (Cd): 1.05 Пф
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | N-Channel Dual Gate |
Частота | 200MHz |
Voltage - Test | 8V |
Current Rating | 30mA |
Noise Figure | 0.6dB |
Current - Test | 10mA |
Номинальное напряжение | 12V |
Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
Корпус | SOT-143B |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
2N7002 (DIOTEC) | 87291 | 6.16 руб. | |
BAV99 (TRR) | 152000 | 1.18 руб. | |
BFR93A | 20 | 16.90 руб. | |
PIC16F873A-I/SO | 293 | 788.81 руб. | |
BF998RW N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
Производитель:
|
||