Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2N7002

Версия для печати Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N7002 (DIOTEC) 92091 6.24 руб. 
2N7002,215 16000 2.86 руб. 

Описание 2N7002

Маломощный N-канальный полевой транзистор c изолированным затвором (вертикальный D-MOS) в корпусе SOT-23. широко применяется в ключевых схемах, а также в качестве усилительного элемента в блоках и модулях радиоаппаратуры различного назначениямакс.
Возможно прямое управление транзистором 2N7002 от микросхем КМОП и ТТЛ.
Напряжение сток-исток: 60 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 220 мА
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном): 5 Ом
Номинальное напряжение затвора: 3-6 В
Рассеиваемая мощность: 1 Вт
Заряд затвора: 1.4 нКл 

Технические характеристики 2N7002

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 115mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 50pF @ 25V
Power - Max 200mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23
Product Change Notification Mold Compound Change 12/Dec/2007
Серия STripFET™
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2nC @ 5V
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
74HC4051D (NEXPERIA) 43 28.80 руб. 
BAV99 (TRR) 192000 1.18 руб. 
IRLML6402 (HOTTECH) 264000 5.90 руб. 
2N7002

Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

2n7002.pdf
153,13kB
13стр.