Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BF1201

Версия для печати

Технические характеристики BF1201

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type N-Channel Dual Gate
Частота 400MHz
Gain 29dB
Voltage - Test 5V
Current Rating 30mA
Noise Figure 1dB
Current - Test 15mA
Номинальное напряжение 10V
Корпус (размер) TO-253-4, TO-253AA
Корпус SOT-143B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BF1201
Радиочастотные биполярные транзисторы

N-channel Dual-gate Polo Mos-fets

Также в этом файле: BF1201R, BF1201WR

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

bf1201.pdf
117.5Kb
16стр.