РЧ транзисторы на арсениде галлия Transistor GaAs Single Voltage
Полярность транзистора N-Channel
Тип технологии RF FET
Частота 2 GHz
Усиление 16.6 dB
Шумовая диаграмма 0.5 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 410 mmho
Напряжение сток-исток (VDS) 5 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 5 V to 1 V
Непрерывный ток стока 120 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C
Рассеяние мощности 725 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Корпус SOT-343
Конфигурация Single Dual Source
P1dB 20.4 dBm
Полярность транзистора N-Channel
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | pHEMT FET |
Частота | 2GHz |
Gain | 16.6dB |
Voltage - Test | 3V |
Current Rating | 120mA |
Noise Figure | 0.5dB |
Current - Test | 60mA |
Power - Output | 20.4dBm |
Номинальное напряжение | 5V |
Корпус (размер) | SC-82A, SOT-343 |
Корпус | SOT-343 |
Frequency | 2GHz |