РЧ транзисторы на арсениде галлия Transistor GaAs Single Voltage
Полярность транзистора N-Channel
Тип технологии RF FET
Частота 2 GHz
Усиление 16.6 dB
Шумовая диаграмма 0.5 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 410 mmho
Напряжение сток-исток (VDS) 5 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 5 V to 1 V
Непрерывный ток стока 120 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C
Рассеяние мощности 725 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Корпус SOT-343
Конфигурация Single Dual Source
P1dB 20.4 dBm
Полярность транзистора N-Channel
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | pHEMT FET |
| Частота | 2GHz |
| Gain | 16.6dB |
| Voltage - Test | 3V |
| Current Rating | 120mA |
| Noise Figure | 0.5dB |
| Current - Test | 60mA |
| Power - Output | 20.4dBm |
| Номинальное напряжение | 5V |
| Корпус (размер) | SC-82A, SOT-343 |
| Корпус | SOT-343 |
| Frequency | 2GHz |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| ATF-55143-BLKG | 1 | 190.08 руб. | |
| КТ209К (КРЕМНИЙ) | 800 | 20.20 руб. | |
| КТ209К (ПЛАНЕТА) | 800 | 14.08 руб. | |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
