MMBTH10LT1G
Технические характеристики MMBTH10LT1G
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Power - Max | 225mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru