Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBTH10LT1G

Версия для печати

Технические характеристики MMBTH10LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Frequency - Transition 650MHz
Power - Max 225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BAS16 (HOTTECH) 72640 1.09 руб. 
BAS21 (YJ) 4800 5.90 руб. 
MMBTH10LT1G

VHF / UHF Transistor NPN Silicon

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mmbth10lt1g.pdf
55.79Kb
6стр.