Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BFQ540

Версия для печати

Технические характеристики BFQ540

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Frequency - Transition 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz
Power - Max 1.2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 40mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max) 120mA
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-243AA
Корпус SOT-89
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BFQ540
Радиочастотные биполярные транзисторы

Npn Wideband Dual Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

bfq540.pdf
75.5Kb
8стр.