Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BFG425W

Версия для печати Транзистор NPN-HF 4,5В 30мА 135мВт 25ГГц

Технические характеристики BFG425W

Параметр
Значение
Корпус CMPAK-4
Корпус (размер) SC-82A, SOT-343
Тип монтажа Поверхностный
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 2V
Gain 20dB
Power - Max 135mW
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Frequency - Transition 25GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.5V
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BFG425W
Радиочастотные биполярные транзисторы

Npn 25 Ghz Wideband Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

bfg425w.pdf
115.49Kb
12стр.