BFG424F

Технические характеристики BFG424F

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.5V
Frequency - Transition 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gain 23dB
Power - Max 135mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SOT-343 Reverse Pinning
Корпус 4-SO


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru