Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BFG410W

Версия для печати

Технические характеристики BFG410W

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.5V
Frequency - Transition 22GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gain 21dB
Power - Max 54mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 12mA
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-82A, SOT-343
Корпус CMPAK-4
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BFG410W
Радиочастотные биполярные транзисторы

NPN 22 GHz wideband transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

bfg410w.pdf
108.29Kb
12стр.