BFG25A/X

Технические характеристики BFG25A/X

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V
Frequency - Transition 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
Power - Max 32mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500µA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 6.5mA
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-253-4, TO-253AA
Корпус SOT-143B


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru