Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BFG25A/X

Версия для печати

Технические характеристики BFG25A/X

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V
Frequency - Transition 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
Power - Max 32mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500µA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 6.5mA
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-253-4, TO-253AA
Корпус SOT-143B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BFG25A
Радиочастотные биполярные транзисторы

NPN 5 GHz wideband transistor

Также в этом файле: BFG25A/X, BFG25A/X

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

bfg25a.pdf
122.68Kb
12стр.