Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

LF353DR

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
LF353DR 487 33.79 руб. 

Технические характеристики LF353DR

Параметр
Значение
Корпус 8-SOIC
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа Поверхностный
Рабочая температура 0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) ±3.5 V ~ 18 V
Ток выходной 3.6mA
Напряжение входного смещения 5000µV
Ток - входного смещения 50pA
Полоса пропускания 3MHz
Скорость нарастания выходного напряжения 13 V/µs
Число каналов 2
Тип усилителя J-FET
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC546B (ON SEMICONDUCTOR) 800 11.63 руб. 
LM358N (ST MICROELECTRONICS) 12000 38.97 руб.