Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 300000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Корпус TO92
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.5mA @ 15V |
| FET Type | P-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 800mV @ 10nA |
| Resistance - RDS(On) | 300 Ohm |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
| Power - Max | 350mW |
|
PMBFJ174 Радиочастотные биполярные транзисторы P-channel silicon field-effect transistors Также в этом файле: PMBFJ177
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
