Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

J113

Версия для печати Транзистор N-канальный 35В, 50мА, 625мВт

Наименование
Кол-во
Цена
 
J113 (ONS) 2101 11.94 руб. 

Описание J113

Транзистор N-канальный
Напряжени есток-исток   35В
Ток  истока  50мА
Мощность  625мВт
Диапазон температур  - 50 ... 150оС

Технические характеристики J113

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V
FET Type N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 500mV @ 1µA
Resistance - RDS(On) 100 Ohm
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус TO-92-3
Power - Max 625mW
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC550CG (ONS) 1217 23.11 руб. 
LM317LBZ (UTC) 38 16.24 руб. 
ZVP3310A (DIODES) 808 90.57 руб. 
ТП-125-18 (КОМПЛЕКС) 70 574.93 руб. 
PMBFJ11x
Радиочастотные биполярные транзисторы

N-channel Junction Fets

Также в этом файле: PMBFJ113

Производитель:
Philips Semiconductors
http://www.semiconductors.philips.com

pmbfj11x.pdf
40.38Kb
6стр.