TPS1120DR


Наименование
Кол-во
Цена
TPS1120DR 4 Заказ радиодеталей

Описание TPS1120DR

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

Технические характеристики TPS1120DR

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.17A
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.45nC @ 10V
Power - Max 840mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SOIC


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru