SiA517DJ-T1-GE3


Наименование
Кол-во
Цена
SIA517DJ-T1-GE3 8 Заказ радиодеталей

Технические характеристики SiA517DJ-T1-GE3

Параметр
Значение
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5A, 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Серия TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 500pF @ 6V
Power - Max 6.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) PowerPAK® SC-70-6 Dual
Корпус PowerPAK® SC-70-6 Dual


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru