Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI9945AEY

Версия для печати Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=60V, Id=3.7A@t=25C, 3.2A@t=70C, Rds=0.08 R, -55 to +175C), smd.

Технические характеристики SI9945AEY

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 3.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
Power - Max 2.4W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
16.0000 MHZ HC-49S (ТАЙВАНЬ) 42 22.44 руб. 
ATMEGA128-16AU 166 1 981.94 руб. 
LM393D (TEXAS INSTRUMENTS) 1826 12.00 руб. 
SI9945AEY

Dual N-channel 60-v (d-s) Mosfet

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

si9945aey.pdf
59.65Kb
4стр.