Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI4816BDY-T1-E3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI4816BDY-T1-E3 68 Заказ радиодеталей

Технические характеристики SI4816BDY-T1-E3

Параметр
Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.8A, 8.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 10nC @ 5V
Power - Max 1W, 1.25W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.