Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF9952TR

Версия для печати

Технические характеристики IRF9952TR

Параметр
Значение
Power - Max 2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 190pF @ 15V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.