Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF8313

Версия для печати

Технические характеристики IRF8313

Параметр
Значение
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 760pF @ 15V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 90nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.