IRF7389
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5WОписание IRF7389
Пара N+P-канальных МОП транзисторов в общем планарном корпусе типа SO-8.
Uси.max 30V(N) / -30V(P)
Uзи.max +/- 20V
Iс.max 7,3A (при +25oC)(N) / -5,3A(при +25oC)(P) / 5,3A (при +70oC)(N) /-4,2A(при +70oC)(P)
Pрасс.max 2,5W (при +25oC) / 1,6W (при +70oC)
Rси.откр. (тип.) 0,029 Om(N) / 0,058 Om(P)
Свх/Cвых (тип.) 650pF/320pF(N) / 710pF/380pF(P)
tвкл/выкл (тип.) 8.1nS/26nS(N) / 13nS/34nS(P)
Tраб. -55oC..+150oC
Технические характеристики IRF7389
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.3A, 5.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru