IRF7343PBF

Версия для печати Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, Id(25oC)=-3.4/4.7A

Наименование	Кол-во	Цена
IRF7343PBF	5

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A, 3.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	740pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.