Структура NP-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55/-55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7/-3.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50/105
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики S,мА/В 7900
Корпус SO8
Пороговое напряжение на затворе -1/1
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A, 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7343 N/P-канальные транзисторные модули Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
