IRF7341PBF

Версия для печати Сдвоенные N-канальный полевой транзистор Vси = 55 В, Rоткр = 0.047 Ом, Id(25°C) =5.1 A

Параметр	Значение
Power - Max	2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	740pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.