Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF7341

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7341 2461 31.55 руб. 

Описание IRF7341

Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики S,мА/В 7900
Пороговое напряжение на затворе,В 1

Технические характеристики IRF7341

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 740pF @ 25V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7343 2888 95.04 руб. 
SMA-C174P 12883 31.33 руб. 
IRF7341Q
Дискретные сигналы

55V Dual N-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf7341q.pdf
137.28Kb
9стр.