IRF7311
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=6.6A@t=25C, 5.3A@t=70C, Rds=0.023 R@Vgs=4.5V, P=2.0W, -55 to +150C), smd.Технические характеристики IRF7311
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru