Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF7311

Версия для печати Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=6.6A@t=25C, 5.3A@t=70C, Rds=0.023 R@Vgs=4.5V, P=2.0W, -55 to +150C), smd.

Технические характеристики IRF7311

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 900pF @ 15V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N7000 (FAIRCHILD) 800 20.20 руб. 
BS170 (FAIRCHILD) 533 24.48 руб. 
IR4426 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 94 156.00 руб. 
PIC12F629-I/SN (MICRO CHIP) 768 307.01 руб. 
IRF7311
N-канальные транзисторные модули

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf7311.pdf
210.16Kb
7стр.